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SPECTROSCOPY OF DELAYED ELECTRONIC-TRANSITIONS IN GAAS SCHOTTKY DIODES
被引：32
作者：
ZAIDI, SH
JONSCHER, AK
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/2/9/005
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
Semiconductor devices, Schottky barrier
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页码：587 / 596
页数：10
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