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SPACE-CHARGE LIMITED CURRENT IN A-SI-H DEVICES USING HIGH ELECTRIC-FIELDS
被引：1
作者：
VANDENHEUVEL, JC
VANOORT, RC
BOKHORST, B
GEERTS, MJ
机构：
来源：
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989
|
1989年
/
149卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-149-155
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ;
081704 ;
摘要：
引用
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页码：155 / 160
页数：6
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