IC-VCE CHARACTERISTICS OF DOUBLE DIFFUSED BIPOLAR-TRANSISTORS UNDER LOW-LEVEL INJECTION

被引：6

作者：

SCOTT, D

ROULSTON, D

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1980年 / 23卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(80)90003-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：201 / 207

页数：7

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共 8 条

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