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LOW-TEMPERATURE GROWTH OF GAN AND ALN ON GAAS UTILIZING METALORGANICS AND HYDRAZINE
被引：216
作者：
MIZUTA, M
FUJIEDA, S
MATSUMOTO, Y
KAWAMURA, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
12期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L945
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L945 / L948
页数：4
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