P-N-JUNCTIONS BY IMPURITY INTRODUCTION THROUGH AN INTERMEDIATE METAL LAYER

被引:4
作者
ARMSTRONG, LD
机构
来源
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS | 1952年 / 40卷 / 11期
关键词
D O I
10.1109/JRPROC.1952.273958
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:1341 / 1342
页数:2
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共 2 条
[1]   P-N JUNCTIONS PREPARED BY IMPURITY DIFFUSION [J].
HALL, RN ;
DUNLAP, WC .
PHYSICAL REVIEW, 1950, 80 (03) :467-468
[2]  
Shockley W., 1951, US Patent, Patent No. 2569347