DEPENDENCE OF THE CHEMICAL ETCH RATE AND ETCH TIME OF SILICON ON THE POST-IMPLANTED DIFFUSION DEPTH - APPLICATION FOR MEMBRANE ACHIEVEMENT

被引：2

作者：

GAISEANU, F ^{[1
]}

COBIANU, C ^{[1
]}

DASCALU, D ^{[1
]}

机构：

[1] CTR MICROTECHNOL,R-72996 BUCHAREST,ROMANIA

来源：

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS | 1993年 / 12卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00627041

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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页码：1652 / 1653

页数：2

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共 3 条

[1]

GAISEANU F, 1978, J ELECTROCHEM SOC, V134, pC432

[2]

GAISEANU F, IN PRESS REV ROUM SC

[3]

SEIDEL H, 1990, J ELECTROCHEM SOC, V137, P3412