ANALYSIS AND IMPROVEMENT OF INTERMODULATION DISTORTION IN GAAS POWER FETS

被引：38

作者：

HIGGINS, JA

KUVAS, RL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1980.1129999

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：9 / 17

页数：9

共 8 条

[1]

HIGGINS JA, 1978, IEEE T ELECTRON DEV, V25, P600

[2]

KOUNO T, 1977, IECE JAP SSD, V7669

[3]

Pucel RA, 1975, ADV ELECTRONICS ELEC, V38, P195, DOI DOI 10.1016/S0065-2539(08)61205-6

[4]

SECHI F, 1977, INT SOLID STATE CIRC, P164

[5] A UNIPOLAR FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

SHOCKLEY, W .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1952, 40 (11) :1365-1376

[6]

STRID E, 1978, DIG TECH PAPERS INT, P135

[7]

TUCKER RS, 1977, ELECTRON LETT, V13, P509

[8] GRADED CHANNEL FETS - IMPROVED LINEARITY AND NOISE-FIGURE [J].

WILLIAMS, RE ;

SHAW, DW .