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TRANSPORT OF MINORITY-CARRIERS IN GRADED-COMPOSITION SEMICONDUCTORS AND ITS IMPACT ON GRADED-BAND-GAP BASE TRANSISTORS OPERATED AT HIGH CURRENTS
被引：7
作者：
HUTCHBY, JA
机构：
[1] NASA - Langley Research Center, Hampton, VA 23665, United States
关键词：
D O I：
10.1063/1.325364
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：4041 / 4046
页数：6
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