A 600-VOLT MOSFET DESIGNED FOR LOW ON-RESISTANCE

被引：25

作者：

TEMPLE, VAK

LOVE, RP

GRAY, PV

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.19866

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：343 / 349

页数：7

共 7 条

[1]

GHANDHI SK, 1977, SEMICONDUCTOR POWER, pCH2

[2]

HU C, 1979, P PESC JUN

[3] ION-IMPLANTED SEMICONDUCTOR-DEVICES [J].

LEE, DH ;

MAYER, JW .

[4] OPTIMIZATION OF NONPLANAR POWER MOS-TRANSISTORS [J].

LISIAK, KP ;

BERGER, J .

[5] HIGH-VOLTAGE MOS SWITCH [J].

SARASWAT, KC ;

MEINDL, JD ;

BERGER, J .

[6]

TEMPLE VAK, 1977, TECH DIG 1977 IE DEC, P423

VANOVERSTRAETEN, R ;

DEMAN, H .