MINORITY CARRIER LIFETIME MEASUREMENT IN GOLD DOPED SILICON MOS STRUCTURES

被引：5

作者：

CLEMENT, G

VOOS, M

机构：

来源：

SURFACE SCIENCE | 1968年 / 11卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(68)90045-9

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：147 / &

相关论文

共 2 条

[1] EXPERIMENTAL STUDY OF SEMICONDUCTOR SURFACE CONDUCTIVITY [J].

GROSVALET, J ;

JUND, C ;

MOTSCH, C ;

POIRIER, R .

SURFACE SCIENCE, 1966, 5 (01) :49-+

[2] TRANSIENT RESPONSE OF A P-N JUNCTION [J].

LAX, B ;

NEUSTADTER, SF .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1954, 25 (09) :1148-1154