MEMORY EFFECT AND ENHANCED CONDUCTIVITY IN SI-IMPLANTED THERMALLY GROWN SIO2

被引：5

作者：

KALNITSKY, A ^{[1
]}

KING, MIH ^{[1
]}

BOOTHROYD, AR ^{[1
]}

ELLUL, JP ^{[1
]}

HADAWAY, RA ^{[1
]}

机构：

[1] NO TELECOM ELECTR LTD,OTTAWA K1Y 4H7,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23286

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：1