THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT CELL WITH THE LOW-THRESHOLD VOLTAGE OF NORMAL-GE-ZNSE-MN2+-INDIUM-TIN OXIDE STRUCTURE

被引：6

作者：

OHNISHI, H ^{[1
]}

HAMAKAWA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] OSAKA UNIV, FAC ENGN SCI, DEPT ELECT ENGN, TOYONAKA, OSAKA 560, JAPAN

来源：

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

10.1063/1.327968

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2937 / 2939

页数：3

共 5 条

[1]

CURIE D, 1967, PHYSICS CHEMISTRY II, P471

[2]

Inoguchi T., 1977, Electroluminescence, P197, DOI 10.1007/3540081275_6

KRUPKA, DC .

OHNISHI, H ;

HAMAKAWA, Y .

TANAKA, S ;

KOBAYASHI, H ;

SASAKURA, H ;

HAMAKAWA, Y .