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P-N-JUNCTION AND SCHOTTKY-BARRIER DIODE FABRICATION IN LASER RECRYSTALLIZED POLYSILICON ON SIO2
被引：11
作者：
SHAH, RR
HOLLINGSWORTH, DR
DEJONG, GA
CROSTHWAIT, DL
机构：
来源：
ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1981年
/
2卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1981.25382
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：159 / 161
页数：3
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