THE STABILITY OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM RESISTORS MEASURED USING EXCESS NOISE

被引：5

作者：

JONES, BK

MZUNZU, ESC

机构：

来源：

MICROELECTRONICS AND RELIABILITY | 1989年 / 29卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(89)90342-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：543 / 544

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] HALL MOBILITY IN CHEMICALLY DEPOSITED POLYCRYSTALLINE SILICON [J].

KAMINS, TI .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1971, 42 (11) :4357-&

[2]

RAICHOUDHURY P, 1973, J ELECTROCHEM SOC, V120, P1761, DOI 10.1149/1.2403359

[3] ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS [J].

SETO, JYW .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1975, 46 (12) :5247-5254