EPITAXIAL V-GROOVE BIPOLAR INTEGRATED-CIRCUIT PROCESS

被引：20

作者：

RODGERS, TJ ^{[1
]}

MEINDL, JD ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,DEPT ELECT ENGN,STANFORD,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1973.17633

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：226 / 232

页数：7

共 14 条

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