A NON-FILAMENTARY SWITCHING ACTION IN THERMALLY GROWN SILICON DIOXIDE FILMS

被引：42

作者：

LAMB, DR

RUNDLE, PC

机构：

来源：

BRITISH JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1967年 / 18卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1088/0508-3443/18/1/306

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：29 / &

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共 1 条

[1] SWITCHING PROPERTIES OF THIN NIO FILMS [J].

GIBBONS, JF ;

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