COMPOSITIONAL DISORDERING OF SI-IMPLANTED GAAS ALGAAS SUPERLATTICES BY RAPID THERMAL ANNEALING

被引：4

作者：

UEMATSU, M

YANAGAWA, F

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1407

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1407 / L1409

页数：3