ION-BEAM INDUCED EPITAXY OF (100) AND (111) GAAS

被引：17

作者：

JOHNSON, ST

ELLIMAN, RG

WILLIAMS, JS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(89)90823-9

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：449 / 452

页数：4

共 7 条

[1] ION-IMPLANTATION AND LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL REGROWTH OF GAAS [J].

GRIMALDI, MG ;

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