THERMAL TREATMENT OF SILICON RECTIFIERS

被引：1

作者：

ESAKI, L

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1953年 / 89卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.89.398

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：398 / 399

页数：2

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共 2 条

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