SOME PROPERTIES OF IN2TE3 AND GA2TE3

被引:32
作者
WOOLLEY, JC
PAMPLIN, BR
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2428242
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
收藏
页码:874 / 879
页数:6
相关论文
共 18 条
[1]  
APPEL G, 1954, PHYSICA, V20, P1110
[2]   EXPERIMENTELLER NACHWEIS DES HALBLEITERCHARAKTERS DER VERBINDUNGEN CDTE UND IN-2 TE-3 [J].
APPEL, J .
ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG SECTION A-A JOURNAL OF PHYSICAL SCIENCES, 1954, 9 (03) :265-267
[3]  
APPEL J, 1955, THESIS BRAUNSCHWEIG
[4]  
AVERKIN AA, 1960, SOV PHYS-SOL STATE, V2, P319
[5]  
GASSON DB, 1960, INT C SEMICONDUCTOR
[6]  
HAHN H, 1952, ANGEW CHEM, V64, P203
[7]  
HARBEKE G, 1958, Z NATURFORSCH PT A, V13, P775
[8]  
HARBEKE G, 1956, Z NATURFORSCH PT A, V11, P1015
[9]   UBER DIE STRUKTUREMPFINDLICHKEIT VON GALLIUMTELLURID (GA2TE3) GEGEN GERINGSTE CU-ZUSATZE [J].
HARBEKE, G ;
LAUTZ, G .
ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1958, 13 (09) :771-775
[10]  
INUZUKA H, 1954, P JAPAN ACAD, V30, P383