DISLOCATION PLANES IN SEMICONDUCTORS

被引：27

作者：

MATARE, HF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1702409

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：581 / 589

页数：9

共 21 条

[1]

MATARE HF, 1955, Z NATURFORSCH PT A, V10, P640

[2]

MATARE HF, 1955, PHYS REV, V98, P1179

MATARE, HF ;

WEGENER, HAR .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1957, 148 (05) :631-645

[4] ZUM ELEKTRISCHEN VERHALTEN VON BIKRISTALLZWISCHENSCHICHTEN [J].

MATARE, HF .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1956, 145 (02) :206-234

[5]

MATARE HF, 1956, Z NATURFORSCH, V10, P876

[6]

MATARE HF, 1958, JUN INT C SOL STAT B

[7]

MATARE HF, 1954, Z NATURFORSCH A, V9, P7

[8]

NEURINGER L, 1957, B AM PHYS SOC, V2, P134

[9]

PEARSON GL, 1949, PHYS REV, V76, P459

[10] DISLOCATION MODELS OF CRYSTAL GRAIN BOUNDARIES [J].

READ, WT ;

SHOCKLEY, W .

PHYSICAL REVIEW, 1950, 78 (03) :275-289