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ELECTRICALLY-ALTERABLE MEMORY USING A DUAL ELECTRON INJECTOR STRUCTURE
被引：29
作者：
DIMARIA, DJ
DEMEYER, KM
DONG, DW
机构：
来源：
ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1980年
/
1卷
/
09期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1980.25279
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：179 / 181
页数：3
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