SUB-0.25-MU-M ION PROJECTION LITHOGRAPHY (IPL) IN PMMA-BASED AND NOVOLAK-BASED RESIST MATERIALS (RAY-PF, RAY-PN, SAL-603)

被引：6

作者：

CEKAN, E

FALLMANN, W

FRIZA, W

PASCHKE, F

STANGL, G

HUDEK, P

BAYER, E

KRAUS, H

机构：

[1] Society for Microelectronics, A-1040 Vienna

[2] Inst. of Computer Systems, Slov. Academy of Science

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0167-9317(92)90048-V

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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页数：4