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GROWTH AND CRYSTAL STRUCTURES IN HETEROEPITAXIAL CDS DEPOSITED ON GAP
被引:7
作者
:
KOTELYAN.IM
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0
KOTELYAN.IM
MITYAGIN, AY
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MITYAGIN, AY
ORLOV, VP
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ORLOV, VP
机构
:
来源
:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
|
1971年
/ 10卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-0248(71)90127-8
中图分类号
:
O7 [晶体学];
学科分类号
:
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要
:
引用
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页码:191 / &
相关论文
共 6 条
[1]
LEVICH VG, 1956, PHYSICOCHEMICAL HYDR
[2]
MARGUART JR, 1963, J CHEM PHYS, V39, P283
[3]
MISHENKO KP, 1965, HDB PHYSIOCHEMICAL
[4]
POGORELIY AD, 1948, SOVIET J PHYS CHEM, V22, P731
[5]
RUMYANTSEV YM, 1969, IZV SIBIRSK AKAD NAU, V9, P49
[6]
VAPOR PHASE DEPOSITION AND ETCHING OF SILICON
SHEPHERD, WH
论文数:
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引用数:
0
h-index:
0
SHEPHERD, WH
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1965,
112
(10)
: 988
-
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共 6 条
[1]
LEVICH VG, 1956, PHYSICOCHEMICAL HYDR
[2]
MARGUART JR, 1963, J CHEM PHYS, V39, P283
[3]
MISHENKO KP, 1965, HDB PHYSIOCHEMICAL
[4]
POGORELIY AD, 1948, SOVIET J PHYS CHEM, V22, P731
[5]
RUMYANTSEV YM, 1969, IZV SIBIRSK AKAD NAU, V9, P49
[6]
VAPOR PHASE DEPOSITION AND ETCHING OF SILICON
SHEPHERD, WH
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SHEPHERD, WH
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1965,
112
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