AN SEU-HARDENED CMOS DATA LATCH DESIGN

被引：73

作者：

ROCKETT, LR

机构：

[1] IBM Corp, Manassas, VA, USA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1988年 / 35卷 / 06期

关键词：

CMOS Data Latch - CMOS Integrated Circuits - Radiation Hardness - Single Event Upsets;

D O I：

10.1109/23.25522

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1682 / 1687

页数：6

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共 3 条

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