A LOW-TEMPERATURE NONPREFERENTIAL GASEOUS ETCHANT FOR SILICON

被引：7

作者：

CHU, TL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2410941

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1207 / &

共 8 条

[1]

BROCK GE, 1963, METALLURGY ADVANC ED, V19, P209

[2] WATER VAPOR AS AN ETCHANT FOR SILICON [J].

CHU, TL ;

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[3] IN SITU ETCHING OF SILICON SUBSTRATES PRIOR TO EPITAXIAL GROWTH [J].

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[4]

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