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CHARACTERIZATION OF SI-III AND SI-IV, METASTABLE FORMS OF SILICON AT AMBIENT PRESSURE
被引:75
作者
:
WEILL, G
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WEILL, G
MANSOT, JL
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MANSOT, JL
SAGON, G
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SAGON, G
CARLONE, C
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CARLONE, C
BESSON, JM
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BESSON, JM
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1989年
/ 4卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/4/4/029
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:280 / 282
页数:3
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