INFLUENCE ON CHARACTERISTICS OF MOS TRANSISTORS OF MOBILITY REDUCTION DUE TO A TRANSVERSE ELECTRIC FIELD

被引：11

作者：

ROSSEL, P

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1969年 / 5卷 / 23期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19690450

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：604 / &

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