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ON THE INFLUENCE OF THE THIN INTERFACIAL OXIDE LAYER ON THE ELECTRICAL AND PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF AU OXIDE P-INP DIODES
被引：6
作者：
SONG, YP
VANMEIRHAEGHE, RL
LAFLERE, WH
CARDON, F
机构：
[1] Rijksuniv Gent, Ghent, Belg, Rijksuniv Gent, Ghent, Belg
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/2/11/006
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
20
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页码：736 / 741
页数：6
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