PROPERTIES OF IONIC BOMBARDED SILICON

被引：78

作者：

OHL, RS

机构：

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1952年 / 31卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1952.tb01378.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：104 / 121

页数：18

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共 3 条

[1] BRATTAIN, 1950, PHYS REV, V80
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[3] SCAFF, 1949, AIMME, V185, P382