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EVIDENCE FOR CREATION OF GALLIUM ANTISITE DEFECT IN SURFACE REGION OF HEAT-TREATED GAAS
被引：14
作者：
HIRAMOTO, T
MOCHIZUKI, Y
IKOMA, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
10期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L830
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L830 / L832
页数：3
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