ELECTRONIC-ENERGY TRAPPING IN A CRYSTAL WITH A DOPANT OF HIGHER SINGLET LEVEL THAN THE HOST

被引:5
作者
BERKOVIC, GE
LUDMER, Z
HAAS, E
机构
[1] WEIZMANN INST SCI,CHEM PHYS,REHOVOT 76100,ISRAEL
[2] BAR ILAN UNIV,DEPT LIFE SCI,RAMAT GAN,ISRAEL
关键词
D O I
10.1016/0022-2313(81)90036-3
中图分类号
O43 [光学];
学科分类号
070207 ; 0803 ;
摘要
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页数:4
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