GERMANIUM-DOPED GALLIUM ARSENIDE TUNNEL DIODES

被引：12

作者：

SOLOMON, R

NEWMAN, R

KYLE, NR

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1961年 / 108卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2428198

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

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页码：716 / 716

页数：1

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共 4 条

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