POLYSILICON RESISTOR MODIFICATION WITH HYDROGEN PLASMAS ON FABRICATED INTEGRATED-CIRCUITS

被引：2

作者：

GINLEY, DS ^{[1
]}

HELLMER, RP ^{[1
]}

LUM, WY ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO,CTR TECHNOL,DIV SEMICOND DIV,CARLSBAD,CA 92008

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2100824

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2078 / 2080

页数：3

共 7 条

[1]

CAMPBELL DR, 1979, B AM PHYS SOC, V24, pJK3

GINLEY, DS ;

HELLMER, RP .

MAKINO, T ;

NAKAMURA, H .

[4] PASSIVATION OF GRAIN-BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SILICON [J].

SEAGER, CH ;

GINLEY, DS .

[5] STUDIES OF THE HYDROGEN PASSIVATION OF SILICON GRAIN-BOUNDARIES [J].

SEAGER, CH ;

GINLEY, DS .

SEAGER, CH ;

GINLEY, DS ;

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[7]

Shichijo H., 1983, International Electron Devices Meeting 1983. Technical Digest, P202