INSITU ANNEAL-INDUCED GROWTH ENHANCEMENT DURING RAPID ISOTHERMAL OXIDATION OF SILICON

被引：4

作者：

MCGRUER, NE ^{[1
]}

SINGH, R ^{[1
]}

WEISS, JH ^{[1
]}

RAJKANAN, K ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV OKLAHOMA,SCH ELECT ENGN & COMP SCI,NORMAN,OK 73019

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.339303

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3405 / 3407

页数：3

共 32 条

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