THICKNESS DEPENDENCE OF ELECTRON MOBILITY OF INSB FILMS

被引：22

作者：

WIEDER, HH

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1972年 / 9卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.1317011

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1193 / &

共 18 条

[1] MICROZONE RECRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPOUND FILMS [J].

BILLINGS, AR .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1969, 6 (04) :757-&

[2]

DAVIS NM, 1966, ELECTRON BEAM SYNTHE

[3]

DAVIS NM, 1967, P ELECTRON ION LASER

Fuchs, K .

PROCEEDINGS OF THE CAMBRIDGE PHILOSOPHICAL SOCIETY, 1938, 34 :100-108

[5] ZUR BEWEGLICHKEIT DER STROMTRAGER IN INDIUMANTIMONIDKRISTALLEN [J].

GALAVANO.VV ;

NASLEDOV, DN ;

FILIPCHE.AS .

PHYSICA STATUS SOLIDI, 1965, 8 (03) :671-&

[6]

GALAVANOV VV, 1965, SOV PHYS-SOLID STATE, V6, P2136

[7]

GALAVANOV VV, 1965, FIZ TVERD TELA, V6, P2683

HLASNIK, I .

[9]

Many A., 1965, SEMICONDUCTOR SURFAC, P307

MAYADAS, AF ;

SHATZKES, M .

PHYSICAL REVIEW B, 1970, 1 (04) :1382-&