ENERGY-DEPENDENCE OF DISPLACEMENT EFFECTS IN SEMICONDUCTORS

被引：49

作者：

VANLINT, VAJ ^{[1
]}

LEADON, RE ^{[1
]}

COLWELL, JF ^{[1
]}

机构：

[1] GULF RADIAT TECHNOL,SAN DIEGO,CA 92100

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1972.4326830

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：181 / 185

页数：5

共 14 条

[1] CLELAND JW, 1965, 7 P INT C PHYS SEM, V3, P401
[2] GOLDBERG MD, 1962, BNL400
[3] DISORDERED REGIONS IN SEMICONDUCTORS BOMBARDED BY FAST NEUTRONS
GOSSICK, BR
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1959, 30 (08) : 1214 - 1218
[4] GREGORY BL, 1969, IEEE T NUCL SCI, VNS16, P53
[5] HARRITY JW, 1970, IEEE T NUCL SCI, VNS17, P100
[6] LEADON RE, 1970, IEEE T NUCL SCI, VNS17, P110
[7] LINDHRD J, 1960, MAT FYS MEDD, V33
[8] NICHOLS DK, 1966, SOLID STATE PHYSICS, V18
[9] SATTLER AR, 1965, PHYS REV, V138, P1815
[10] SMITH CE, 1966, IEEE T NUCL SCI, VNS13, P11