ION-IMPLANTED E/D-TYPE GAAS IC TECHNOLOGY

被引：27

作者：

FURUTSUKA, T ^{[1
]}

TSUJI, T ^{[1
]}

KATANO, F ^{[1
]}

HIGASHISAKA, A ^{[1
]}

KURUMADA, K ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810660

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：944 / 945

页数：2