A REVIEW OF SEMICONDUCTOR PROPERTIES OF PBTE, PBSE, PBS AND PBO

被引:300
作者
DALVEN, R
机构
[1] Conversion Devices Laboratory, RCA Laboratories, Princeton
来源
INFRARED PHYSICS | 1969年 / 9卷 / 04期
关键词
D O I
10.1016/0020-0891(69)90022-0
中图分类号
O43 [光学];
学科分类号
070207 ; 0803 ;
摘要
[No abstract available]
引用
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