LOW-TEMPERATURE SILICON EPITAXIAL-GROWTH BY PHOTOCHEMICAL VAPOR-DEPOSITION USING VACUUM ULTRAVIOLET-LIGHT

被引：8

作者：

GONOHE, N

SHIMIZU, S

TAMAGAWA, K

HAYASHI, T

YAMAKAWA, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1189

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1189 / L1192

页数：4