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CALCULATION OF THE FREE CARRIER DENSITY PROFILE IN A SEMICONDUCTOR NEAR AN OHMIC CONTACT
被引：4
作者：
CHANDRA, A
机构：
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(80)90094-5
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：2
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