CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TUNGSTEN AT LOW PRESSURE

被引：15

作者：

MILLER, A

BARNETT, GD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425215

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：973 / 976

页数：4

共 7 条

[1] BETA-TUNGSTEN AS A TUNGSTEN OXIDE
HAGG, G
SCHONBERG, N
[J]. ACTA CRYSTALLOGRAPHICA, 1954, 7 (04): : 351 - 352
[2] JUDD NCW, 1959, BRAE1957 TECHN NOT
[3] NEIBERLEIN VA, 1959, 5539 BUR MIN INV REP
[4] NEUGEBAUER VJ, 1958, Z ANORG ALLG CHEM, V293, P241
[5] THE DEPOSITION OF TANTALUM AND COLUMBIUM FROM THEIR VOLATILIZED HALIDES
POWELL, CF
CAMPBELL, IE
GONSER, BW
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1948, 93 (06) : 258 - 265
[6] REID WA, 1960, NBS TECH NEWS B, V44, P32
[7] Tolansky S., 1948, MULTIPLE BEAM INTERF