IMPROVEMENT OF SOFT-ERROR RATE IN MOS SRAMS

被引：2

作者：

MURAKAMI, S ^{[1
]}

ICHINOSE, K ^{[1
]}

ANAMI, K ^{[1
]}

KAYANO, S ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECTR CO,LSI RES & DEV LAB,NOVEL CIRCUIT DESIGN GRP,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/4.34063

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：869 / 873

页数：5