PALLADIUM-SILICIDE SCHOTTKY-BARRIER IR-CCD FOR SWIR APPLICATIONS AT INTERMEDIATE TEMPERATURES

被引:26
作者
ELABD, H
VILLANI, T
KOSONOCKY, W
机构
来源
ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 04期
关键词
D O I
10.1109/EDL.1982.25490
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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共 4 条
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  • [2] KOHN ES, 1975, OCT INT C APPL CCDS
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