EXPERIMENTAL DEPENDENCE OF RESONANT TUNNEL-DIODE CURRENT ON ACCUMULATION LAYER BAND PROFILES

被引：3

作者：

LEAR, KL ^{[1
]}

LEE, WS ^{[1
]}

HARRIS, JS ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,DEPT ELECT ENGN,STANFORD,CA 94305

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1989年 / 36卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/16.43737

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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