LASER-SCANNING APPARATUS FOR ANNEALING OF ION-IMPLANTATION DAMAGE IN SEMICONDUCTORS

被引：103

作者：

GAT, A

GIBBONS, JF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89960

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：142 / 144

页数：3

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[1]

ANTONENKO AK, 1976, SOV PHYS SEMICOND+, V10, P81

[2]

BOLOTOV VV, 1976, SOV PHYS SEMICOND+, V10, P338

[3]

Evans C., COMMUNICATION

[4]

KACHURIN GA, 1976, SOV PHYS SEMICOND+, V10, P1128

[5]

KACHURIN GA, 1976, SOV PHYS SEMICOND, V9, P946

[6]

KLIMENKO AG, 1976, SOV J QUANTUM ELECTR, V5, P1289

[7]

KUTUKOVA OG, 1976, SOV PHYS SEMICOND+, V10, P265

[8]

SHTYRKOV EI, 1975, SOV PHYS SEMICOND+, V9, P1309