IMPROVED PHOTOEMITTERS USING GAAS AND INGAAS

被引：29

作者：

UEBBING, JJ

BELL, RL

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1968年 / 56卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1968.6682

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1624 / &

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共 5 条

[1]

BELL RL, 1968, J APPL PHYS, V12, P76

[2] EXPERIMENTAL EVIDENCE FOR OPTICAL POPULATION OF X MINIMA IN GAAS [J].

EDEN, RC ;

MOLL, JL ;

SPICER, WE .

[3]

JAMES LW, 1968, SUSEL68047 STANF U E, P3

[4] GaAs-Cs: A NEW TYPE OF PHOTOEMITTER [J].

Scheer, J. J. ;

van Laar, J. .

[5]

TURNBULL AA, 1968, BRIT J APPL PHYS, V1, P155