ELECTRON DAMAGE THRESHOLDS IN INSB

被引：25

作者：

EISEN, FH

BICKEL, PW

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1959年 / 115卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.115.345

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：345 / 346

页数：2

相关论文

共 1 条

[1] ELECTRICAL RESISTIVITY STUDY OF LATTICE DEFECTS INTRODUCED IN COPPER BY 1.25-MEV ELECTRON IRRADIATION AT 80-DEGREES-K [J].

MEECHAN, CJ ;

BRINKMAN, JA .

PHYSICAL REVIEW, 1956, 103 (05) :1193-1202