THERMAL CONDUCTIVITY OF SILICON FROM 300 TO 1400 DEGREES K

被引:422
作者
SHANKS, HR
SIDLES, PH
MAYCOCK, PD
DANIELSON, GC
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1963年 / 130卷 / 05期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.130.1743
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1743 / &
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