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LOW-PRESSURE OMCVD GROWTH OF GAAS ON INP FOR FET AND QUANTUM WELL LASER FABRICATION
被引：3
作者：
BHAT, R
LO, YH
CANEAU, C
CHANGHASNAIN, CJ
SKROMME, BJ
HWANG, DM
ZAH, CE
KOZA, MA
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-367
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页码：367 / 375
页数：9
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